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CARACTERISTICAS
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Descripcion:
Dispositivo diseñado para probar transistores NPN y PNP, transistores MOFSET canal N ..
Material: Sílice fundida JGS1/JGS2 (Cuarzo)
Longitud de onda: Nm 1064nm
Transmitancia: 99.5%
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Caracteristicas
Longitud de onda láser: 2940nm
Transmitancia de luz: 80%
Densidad óptica OD: 2700 -..
