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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Caracteristicas:
Número de Parte: IRGB20B60PD1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N-..
Tipo de transistor: MOSFET N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente máximo (VDS): 30 V
Voltaje puerta‑fuent..
El IRS2092 es un controlador de amplificador de audio Clase D de alto voltaje y alto rendimiento con..
Descripcion:
La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..
Este módulo ISD1820 Módulo de Grabación y Reproducción de Voz basado en el c..
Este módulo basado en el circuito integrado ISD1820 permite la grabación y reproducci&oa..
Compatible con baterías de 2 a 4 celdas de litio.
Interfaz de comunicación: SMBus / I²C para monitor..
J-Link- OB SEGGER desarrollador
soporta JTAG o SWD dispositivo de comunicación puede soportar la des..