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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
ipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V
Resiste..
Tipo IGBT TNP
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
Descripcion:
La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..
Este módulo ISD1820 Módulo de Grabación y Reproducción de Voz basado en el c..
J-Link- OB SEGGER desarrollador
soporta JTAG o SWD dispositivo de comunicación puede soportar la des..