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Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -230 V Voltaje colector emisor VCEO: -230 ..
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ESPECIFICACIONES TECNICAS: -Tipo - PNP -Voltaje del colector-emisor: -120 V -Voltaje de la base del ..
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Especificaciones: Voltaje Colector-Base: 60V Voltaje Colector-Emisor: 50V Voltaje Emisor-Base: 5V..
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Caracteristicas -Transistor de potencia NPN de silicio -Voltaje de ruptura del colector-emisor: V (B..
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Descripcion: transistor de silicio NPN de proposito general. Documentacion: hoja de datos ..
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Características: -Polaridad del transistor: NPN -Voltaje base VCBO: 230 V -Voltaje colector emisor V..
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Descripcion: El integrado 2SK952 es un mosfet de canal N que puede manejar voltajes elevados, lleg..
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CARACTERISTICAS -Diámetro: 30mm -Espesor: 10 mm -Apertura : 1,9 mm ( compacto Con 2 eje MM ..
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ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS Tipo: Transistor IGBT Numero de serie: 60T65PES Paquete: TO-247AB-3..
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Características: 8 transceivers bidireccionales para comunicaciones asincrónicas en buses de datos..
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Entrada serial, salida paralela, o salida serial que permite conexión en cascada de varias uni..
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El 74HC125 es un controlador cuádruple / línea con salidas de 3 estados controladas por ..
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Circuito Integrado 74LS126. Cuatro buffers de bus de salidas de tres estados, que cuando está ..
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El SN74LS164N es un registro de desplazamiento en serie que incluye entradas en serie cerradas y una..
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