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CS830 Mosfet Canal N 500V-5A

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Precio en Puntos de Premio:3
  • Código de Producto: 03737
  • Existencia: Disponible
Etiquetas: cs830

MOSFET de potencia de canal N de silicio CS830 A4RD ○R
Descripción general: CS830 A4RD, los VDMOSFET mejorados de canal N de silicio, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción y mejora la conmutación VDSS ID PD (TC = 25 ℃) RDS(ON)Typ 500 5 75 1.25 rendimiento y mejora la energía de avalancha.
El transistor se puede utilizar en varios circuitos de conmutación de potencia para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia. El formato del paquete es TO-252, que cumple con el estándar RoHS.
Características: l Conmutación rápida l Capacidad mejorada ESD l Carga de puerta baja (datos típicos: 14,5 nC) l Capacitancias de transferencia inversa bajas (típicas: 7,5 pF) l Prueba de energía de avalancha de pulso único 100% Aplicaciones: Circuito de interruptor de encendido del adaptador y cargador. Absoluto (Tc= 25 ℃ a menos que se especifique lo contrario)
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