Transistores y amplificadores
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
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Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
ipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V
Resiste..
Caracteristicas:
Número de Parte: IRG4BC20KD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transist..
Tipo IGBT TNP
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
Caracteristicas:
Número de Parte: IRGB20B60PD1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N-..
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
Tipo de transistor: MOSFET N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente máximo (VDS): 30 V
Voltaje puerta‑fuent..
Tipo: MOSFET de canal N
Tensión drenaje‑fuente (V₍DSS₎): 55 V
Corriente continua de drenaje (I₍D₎) t..
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
Caracteristicas:
-Model: K40H1203
-Corriente: 40A
-Voltaje: 1200V
DATASHEET
..
Características :
1. Tiempo de resistencia al cortocircuito: 10 us
2. Diseñado para:
(1) Convertid..
Caracteristicas:
voltaje colector emisor Vce: 1200V
corriente de colector Ic: 40A
Documentacion:..