Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Resistencia baja de ON-fuente de drenaje: RDS (ENCENDIDO) = 0.62Ω (típico)
Alta aceptación de transferencia directa: Yfs = 5.0 S (típico)
Baja corriente de fuga: IDSS = 10μA (max) (VDS = 500 V)
Modo de mejora: Vth = 2.0 a 4.0 V (VDS = 10 V, Ire = 1 mA)
Aplicaciones: Regulación de conmutación

Caracteristicas
Polaridad de transistor: Canal N
Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 10 A
Corriente de drenaje pulsada IDP: 40 A
Corriente de avalancha IAR: 10 A
Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 45 W
Resistencia VGS RDS(on): 0.38 Ω
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-220F
Número de pines: 3

DATASHEET