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Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo) Corriente de colector constante 800mA (Ic) Potencia to..
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TRANSISTOR, NPN, TO-3 * Polaridad del transistor:NPN * Voltaje de ruptura de colector a emisor: 60V ..
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Voltaje de mantenimiento del emisor del colector VCEO (SUS) IC = 200mA, IB = 0 40 V Voltaje de ruptu..
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El transistor 2N3904 es uno de los más comunes transistores NPN generalmente usado para amplif..
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La serie 2N3906 de Multicomp se compone de transistores de conmutación planares de silicio PNP..
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2N4403 es un transistor PNP de propósito general utilizado para aplicaciones de amplificaci&oa..
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Información del producto 2N5401 está específicamente diseñado para usarse e..
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DESCRIPCION DE PRODUCTO: 2N5551 es un transistor NPN de propósito general construido para u..
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Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -230 V Voltaje colector emisor VCEO: -230 ..
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ESPECIFICACIONES TECNICAS: -Tipo - PNP -Voltaje del colector-emisor: -120 V -Voltaje de la base del ..
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Especificaciones: Voltaje Colector-Base: 60V Voltaje Colector-Emisor: 50V Voltaje Emisor-Base: 5V..
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Bs10.0
Caracteristicas -Transistor de potencia NPN de silicio -Voltaje de ruptura del colector-emisor: V (B..
Bs10.0
Bs7.0
Características: -Polaridad del transistor: NPN -Voltaje base VCBO: 230 V -Voltaje colector emisor V..
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ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS Tipo: Transistor IGBT Numero de serie: 60T65PES Paquete: TO-247AB-3..
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