Especificaciones:

Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: Canal N
Disipación de potencia máxima (Pd): 62,5 W
Voltaje máximo de fuente-drenaje |Vds|: 40 V
Voltaje máximo de puerta-fuente |Vgs|: 20 V
Puerta máxima -Voltaje umbral |Vgs(th)|: 3 V
Corriente máxima de drenaje |Id|: 72 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
Carga total de puerta (Qg): 51,5 nC
Tiempo de subida (tr): 28 nS
Drenaje- Capacitancia de la fuente (Cd): 202 pF
Resistencia máxima en estado de drenaje-fuente (Rds): 0,006 ohmios