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Transistores y amplificadores

Transistores y amplificadores

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

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ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS Tipo: Transistor IGBT Numero de serie: 60N60 Paquete: TO-247AB-3 Es..
Repetición de pico. Voltaje inverso (Vrrm): 1000V máx. Voltaje inverso RMS (Vr): 700V Corriente Rect..
Caracteristicas: Con aislamiento de optoacoplador, la señal de control y la potencia del ..
Drive voltage : 10 V VDSS : 250 V rDS(ON) (max) : 0.19 ID : 20 A ..
Modelo: FSFR2100XS Estilo de montaje: Through Hole Paquete / Cubierta: SIP-9 Potencia de salida: ..
G60N100 es un transistor con un polo de control de cuarentena que es un componente semiconductor de ..
Características: 1. Estructura del molde de pasivación de vidrio 2. Alta rigidez dieléctrica de ca..
Descripcion: El GIB10B60KD1 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) que incluye un diodo ..
Modelo: GT30F126 Tipo: IGBT Polaridad de transistor: N Pc - Máxima potencia disipada: 18 W Vce - Ten..
Caracteristicas: Modelo: H20R1203 Tipo: IGBT Canal: N VCE: 1200V IC: 20A Voltaje de saturación cole..
Caracteristicas: H20R1203 Tipo: IGBT Canal: N VCE: 1200V IC: 20A Ptot: 310W Tvjmáx: 175ºC Encapsu..
Caracteristicas: -Model: K40H1203 -Corriente: 40A -Voltaje: 1200V DATASHEET ..
Espedificaciones: Ganancias internas: Proporciona ganancias predeterminadas de 1, 10, 100, 200 y 50..
El IR2110 es un circuito integrado controlador de alto voltaje (HVIC) para MOSFET e IGBTs, caracteri..
Descripcion: El IR2127 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje..
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