Polaridad: canal N
Tensión drenaje‑fuente (V₍DSS₎): 800 V
Corriente continua de drenaje (I₍D₎) típica: 11 A
Resistencia drenaje‑fuente en conducción (R₍DS(on)₎) máx: 0,45 Ω @ V₍GS₎ = 10 V
Voltaje puerta‑fuente máximo (V₍GS₎): ±20 V
Tecnología: “CoolMOS C3”, avalancha periódica, baja carga de puerta y bajas capacitancias parasitas
Paquete / encapsulado: TO‑220 (o TO‑220‑FP / FullPAK según variante)
Rango de temperatura de operación: ‑55 °C a +150 °C