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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
Descripcion:
El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction ..
Descripcion:
El código K40B65H2A (también conocido como AOK40B65H2AL) corresponde a un transistor IG..
Pc - Máxima potencia disipada: 25 W
Vce - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
Vge - Tensión máxima..
DESCRIPCIÓN:
Este módulo relé de un canal dispone de un transistor para su activación, lo que quier..
función: el uso de control de bajo nivel de alto nivel. tales como el uso de un solo chip mi..
Tarjeta de rele opto acoplada, incluye 16 canales para ser controlados en forma remota. Ideal para c..
Parámetros del producto
1. Trabajo de la tensión: 24 v
2. Quiescent actual: 5mA
3. Maxim..
Descripcion:
Este módulo de relé de 1 canal de 5 V con disparador de nivel bajo es un pequeño dispo..
DESCRIPCIÓN:
Este módulo relé de un canal dispone de un transistor para su activ..
DESCRIPCIÓN:
Tarjeta de relés opto acoplada, incluye 2 canales para ser controlados en..