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Descripcion:
El J112 es un transistor FET o de efecto de campo de silicio de canal N de alto rendim..
Caracteristicas:
modelo: FQP7N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES M..
Caracteristicas del producto
Para microcontroladores sin un convertidor analógico a digital..
Características
• Tecnología reflectante
• Contorno pequeño de montaje en superficie
Paquete sin plo..
Número de Parte: AOD406- D412YXBF3C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES..
Especificacion:
Modelo: AOD4126
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Máxima disipación de..
Modelo: GT30F126
Tipo: IGBT
Polaridad de transistor: N
Pc - Máxima potencia disipada: 18 W
Vce - Ten..
El HT-M7603 es un gateway LoRaWAN estándar para interiores de alta relación calidad-precio que se pu..
El INA3221 es un monitor de voltaje de bus y corriente de tres canales con una interfaz compatible c..
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..