Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente Vds: -100 V
Resistencia de activación Rds (on): 680 mohms
Tensión Vgs de medición Rds (on): -10 V
Tensión umbral Vgs: -2 V
Disipación de potencia Pd: 60 W
Temperatura máxima de operación: 175 A