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Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
Tipo de transistor: MOSFET N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente máximo (VDS): 30 V
Voltaje puerta‑fuent..
Descripcion:
El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction ..
Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
Pc - Máxima potencia disipada: 25 W
Vce - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
Vge - Tensión máxima..
La placa es un módulo de controlador de interruptor de disparo MOS de alta potencia y una placa de c..
Especificaciones:
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: Canal N
Disipación de potenc..
Polaridad: Canal P (P‑Channel)
Tensión drenaje‑fuente (Vᴅₛ): ‑60 V (bloqueo máximo típicamente)
Corr..
Transistor Mosfet N
Tipo de FET: Canal N
SMD
Paquete: TO-252-2(DPAK)
Voltaje de drenaje (Vdss): 60V..
Descripcion:
El OSG65R099HZ es un MOSFET (Transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor) ..
Estos MOSFET de potencia han sido desarrollados utilizando el exclusivo proceso STripFET de STMicroe..
Descripcion:
El PHD3055E es un transistor de potencia de efecto de campo (MOSFET) de canal N, fabri..
Descripción:
-Modelo: SM4028N Mosfet de Canal N
-Voltaje: 40V
-Corriente: 60A
Datasheet
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