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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Caracteristicas:
modelo: FQP7N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES M..
Número de Parte: AOD406- D412YXBF3C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES..
Especificacion:
Modelo: AOD4126
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Máxima disipación de..
Descripcion:
El módulo incluye un optoaislador PC817 que proporciona aislamiento eléctrico entre el..
La placa es de alta potencia MOS interruptor de activación del módulo y la placa de cont..
APT5010LVR es una nueva generación de MOSFET de potencia en modo mejorado de canal N de alto voltaje..
Caracteristicas:
Proteccion contra cortocircuito
Proteccion contra sobrecarga
Proteccion contra sob..
Especificaciones
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: PG-SOT-223-4
Polaridad del tran..
Caracteristicas:
Con aislamiento de optoacoplador, la señal de control y la potencia del ..
El ICL7667 es un controlador dual monolítico de alta velocidad diseñado para convertir señales de ni..
El IR2110 es un circuito integrado controlador de alto voltaje (HVIC) para MOSFET e IGBTs, caracteri..
Descripcion:
El IR2127 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje..
Los IR2136/IR21362 son controladores MOSFET e IGBT de potencia de alta velocidad y alto voltaje con ..
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..