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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Tipo de Transistor NPN
Corriente Máxima Continua del Colector 4 A
Tensión Máxima..
Especificaciones
Polaridad de Transistor: NPN
Tension de Colector a Emisor V(br)ceo: 100V
Cor..
Un transistor de potencia LDMOS extremadamente robusto de 700 W para aplicaciones industriales y de ..
Transistor LDMOS de potencia
Un transistor de potencia LDMOS extremadamente robusto de 1400 W para a..
Especificaciones
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: PG-SOT-223-4
Polaridad del tran..
Especificaciones
Tipo - NPN
Voltaje colector-emisor: 50 V
Voltaje colector-base: 60 V
Voltaje de..
1. Con paquete TO-220F
2. Complemento al tipo 2SB1366
3. Bajo voltaje de saturación del colector: V..
Caracterìsticas:
-Material: Aluminio
-Altura: 20mm
-Ancho para transistor: 12.5mm
-Largo: 15mm
..
ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS
Tipo: Transistor IGBT
Numero de serie: 60N60
Paquete: TO-247AB-3
Es..
Caracteristicas:
Modelo: H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Voltaje de saturación cole..
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..