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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Un transistor de potencia LDMOS extremadamente robusto de 700 W para aplicaciones industriales y de ..
Transistor LDMOS de potencia
Un transistor de potencia LDMOS extremadamente robusto de 1400 W para a..
Especificaciones
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: PG-SOT-223-4
Polaridad del tran..
Especificaciones
Tipo - NPN
Voltaje colector-emisor: 50 V
Voltaje colector-base: 60 V
Voltaje de..
1. Con paquete TO-220F
2. Complemento al tipo 2SB1366
3. Bajo voltaje de saturación del colector: V..
Caracterìsticas:
-Material: Aluminio
-Altura: 20mm
-Ancho para transistor: 12.5mm
-Largo: 15mm
..
ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS
Tipo: Transistor IGBT
Numero de serie: 60N60
Paquete: TO-247AB-3
Es..
Caracteristicas:
Modelo: H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Voltaje de saturación cole..
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Tipo IGBT TNP
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
Características :
1. Tiempo de resistencia al cortocircuito: 10 us
2. Diseñado para:
(1) Convertid..