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Estos MOSFET de potencia han sido desarrollados utilizando el exclusivo proceso STripFET de STMicroe..
Descripcion:
El PHD3055E es un transistor de potencia de efecto de campo (MOSFET) de canal N, fabri..
El QA3112M6N es un MOSFET asimétrico de doble canal N de trinchera de alto rendimiento que utiliza u..
Descripción:
-Modelo: SM4028N Mosfet de Canal N
-Voltaje: 40V
-Corriente: 60A
Datasheet
..
Modelo: SUP85N04
Tipo: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disip..
Tipo de controlador MOSFET Lado bajo
Tipo de controlador Único
Configuración no inversor
Salida de f..
Tipo: Driver de puerta MOSFET, salida no inversora
Corriente pico de salida (source/sink): hasta 6 A..
Fabricado por Advanced Power Electronics Corp., este componente es un MOSFET de potencia de canal N ..
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