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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Caracteristicas:
modelo: FQP7N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES M..
Número de Parte: AOD406- D412YXBF3C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES..
Descripcion:
El módulo incluye un optoaislador PC817 que proporciona aislamiento eléctrico entre el..
La placa es de alta potencia MOS interruptor de activación del módulo y la placa de cont..
APT5010LVR es una nueva generación de MOSFET de potencia en modo mejorado de canal N de alto voltaje..
Caracteristicas:
Proteccion contra cortocircuito
Proteccion contra sobrecarga
Proteccion contra sob..
Especificaciones
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: PG-SOT-223-4
Polaridad del tran..
Caracteristicas:
Con aislamiento de optoacoplador, la señal de control y la potencia del ..
El ICL7667 es un controlador dual monolítico de alta velocidad diseñado para convertir señales de ni..
Descripcion:
El IR2127 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje..
Los IR2136/IR21362 son controladores MOSFET e IGBT de potencia de alta velocidad y alto voltaje con ..
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..