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El MJE2955T es un transistor de potencia PNP de base epitaxial de silicio de -60 V diseñado para cir..
Polaridad de Transistor: NPN
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Disipación ..
Polaridad de Transistor: PNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Frecuencia de Tra..
Estos MOSFET de potencia han sido desarrollados utilizando el exclusivo proceso STripFET de STMicroe..
Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ..
Caracteristicas
Transistor NPN de bajo voltaje y alta corriente
Pequeño transistor de se&nti..
Polaridad de transistor: PNP
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colect..
Transistor Bipolar (BJT) PNP
Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio
hFE..
Características:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Dispositivo diseñado para operar como am..
Especificaciones
Nombre del producto: Transistor SOT23.
Ic: 100 mA Vceo: 45 V HFE: 200 - 400 PCM: ..
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Dispositivo diseñado para operar como amplificador AM/FM y de fr..
transistor Mosfet N
Tipo de FET: Canal N
SMD/SMT
Paquete: SOT-23
Voltaje de drenaje (Vdss): 20V
Corr..
ampliamente usado en cargadores y powerbanks
con este IC puedes revivir tus powerbanks
..
Descripcion:
Dispositivo diseñado para probar transistores NPN y PNP, transistores MOFSET canal N ..
The TIC206D is a sensitive gate TRIAC transistor in a to-220 package
Specifications:
Package / C..