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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Características :
1. Tiempo de resistencia al cortocircuito: 10 us
2. Diseñado para:
(1) Convertid..
el kit contiene
10x S9012 PNP
10xS9013 NPN
10xS9014 NPN
10xS9015 BJT-PNP
10xS9018 NPN High frecuenc..
BC327 ---20PCS
BC337 ---20PCS
BS517 ---20PCS
BC547 ---20PCS
BC548 ---20PCS
BC549 ---20PCS
BC550 ---2..
transistor bipolar 2SC4793
Tipo: NPN
Tensión colector-emisor: 230 V
Voltaje colector-base: 230 ..
empaquetado to-220
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
10 A
Voltaje - Desglose d..
Descripcion:
Dispositivo diseñado para probar transistores NPN y PNP, transistores MOFSET canal N ..
Descripcion del producto
Detalles del artículo: MJE.
Caracteristica: 13003 transistor b772 ..
El MJE2955T es un transistor de potencia PNP de base epitaxial de silicio de -60 V diseñado para cir..
Especificaciones:
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: Canal N
Disipación de potenc..
Polaridad de Transistor: NPN
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Disipación ..
Polaridad de Transistor: PNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Frecuencia de Tra..
Estos MOSFET de potencia han sido desarrollados utilizando el exclusivo proceso STripFET de STMicroe..
Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ..
Descripcion:
El RD70HVF1-101 es un transistor de potencia de RF Mitsubishi diseñado para circuitos ..
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
|Vge|ⓘ - T..