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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Especificaciones
Rango: el voltaje nominal es de 3,6 V, 3,7 V batería de litio (incluyendo 18..
1) circuito de detección de voltaje de alta precisión;
2) terminal del cargador usando dispositivo d..
Especificaciones
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: PG-SOT-223-4
Polaridad del tran..
Descripcion:
El cable FFC (Flexible Flat Cable) de 1mm, 13 pines (13P) y 60mm es un cable plano fle..
Cable plano flexible FFC FPC, 16p, 1,0mm, longitud delantera de 16 Pines, 500mm, cinta flexible de 1..
1Función de control de carga automática:
Al configurar el volt-hi: 'up volt-li: 'dn'; Cuando el volt..
Descripion:
DALY 17S Ion de litio 30A
Introducción sobre este BMS:
Esta configuración fija 17S n..
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
El JK3DM683 es un controlador paso a paso digital de alto rendimiento de nueva generación basado e..
El MJE2955T es un transistor de potencia PNP de base epitaxial de silicio de -60 V diseñado para cir..
Polaridad: Canal P (P‑Channel)
Tensión drenaje‑fuente (Vᴅₛ): ‑60 V (bloqueo máximo típicamente)
Corr..
Transistor Mosfet N
Tipo de FET: Canal N
SMD
Paquete: TO-252-2(DPAK)
Voltaje de drenaje (Vdss): 60V..
Estos MOSFET de potencia han sido desarrollados utilizando el exclusivo proceso STripFET de STMicroe..
Descripcion:
El PHD3055E es un transistor de potencia de efecto de campo (MOSFET) de canal N, fabri..
CARACTERISTICAS:
-Voltaje: DC 10 - 60V
-Corriente de salida máxima: 20A (10A, se recomienda..