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especificaciones Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V Te..
Caracteristicas: -Tipo FET: Canal N -Tecnología: MOSFET (óxido de metal) -Voltaje de drenaje a fuent..
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220 * Polaridad del transistor:N * Max Voltage Vds:400V * resistencia activ..
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Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500 Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30 Corriente de ..
ipo de Canal N Corriente Máxima Continua de Drenaje 17 A Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V Resiste..
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