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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
-Tipo - PNP
-Voltaje del colector-emisor: -120 V
-Voltaje de la base del ..
Caracteristicas
-Transistor de potencia NPN de silicio
-Voltaje de ruptura del colector-emisor: V (B..
Descripcion del producto:
DY-AP3001 es un módulo de audio mono de alta potencia. Salida de se&..
Descripción:
-Marca:
-Modelo: AN-106
-Rango de frecuencia: 868MHz/915MHz.
-Pantalla LCD de matriz d..
Un transistor de potencia LDMOS extremadamente robusto de 700 W para aplicaciones industriales y de ..
Descripción
La Bobina Inductor de Potencia es un componente esencial en circuitos electrónicos, util..
Caracteristicas
Linealidad de datos de energía: 0.1% de la lectura en un rango dinámic..
1. Con paquete TO-220F
2. Complemento al tipo 2SB1366
3. Bajo voltaje de saturación del colector: V..
El ORP (Potencial de Oxidación-Reducción) es una medida de la capacidad de oxidación y reducción de ..
CARACTERISTICAS:
-Rango de voltaje de entrada: 1,8 V - 5,5 V
-Rango de voltaje de salida: 2,5 V - 6,..
Número de canales: 1 canal
Ancho de banda de 3dB: 200kHz
SR - Velocidad de rotación: 4 V/nosotros ..
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Descripcion:
La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..