G60N100 es un transistor con un polo de control de cuarentena que es un componente semiconductor de potencia de 3 polos. G60N100 combina la capacidad de conmutación rápida de MOSFET y la gran capacidad de carga de los transistores normales. Por otro lado, también es un elemento de control de voltaje, por lo que la capacidad de control requerida será extremadamente pequeña.

Características:
-N.º de pieza :G60N100BNTD
-Paquete : TO-264
-Tipo: NPT y trinchera
-Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) : 1000 V
-Vce(on) (Máx.) a Vge, Ic: 2.9V a 15V, 60A
-Corriente - Colector (Ic) (Máx.) : 60A
-Corriente - Colector pulsado (Icm) : 200A
-Potencia - Máx .: 180W
-Energía de conmutación : -
-Tipo de entrada : Estándar
-Carga de la puerta : 275nC
-Td (encendido/apagado) a 25°C : 140 ns/630 ns
-Condición de prueba : 600 V, 60 A, 51 ohmios, 15 V
-Tiempo de recuperación inversa (trr) : -
-Tipo de montaje : Orificio pasante

DATASHEET