Descripcion:

El GIB10B60KD1 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) que incluye un diodo de recuperación suave de alta velocidad, producido por International Rectifier, ahora integrado en Infineon Technologies.

Características

- Voltaje de colector a emisor: 600 V
- Voltaje de puerta a emisor: ±20 V
- Corriente del colector: 16 A
- Potencia disipada en el colector: 44 W
- Temperatura del unión: 150 °C
- Temperatura de almacenamiento: -55 a +175 °C