Tipo: Canal P (P‑Channel MOSFET)
Tensión drenaje‑fuente V₍DS₎ máx: aproximadamente –55 V (algunas versiones indican hasta –60 V)
Corriente continua Id máx: hasta ~‑74 A (dependiendo de condiciones de montaje y temperatura)
Resistencia drenaje‑fuente en conducción R₍DS(on)₎: tan baja como ~0.02 Ω (20 mΩ) en condiciones típicas (V₍GS₎ ≈ –10 V)
Voltaje compuerta‑fuente máximo: ±20 V
Disipación de potencia máxima: ~200 W en condiciones óptimas de fijación a disipador y montaje adecuado
Rango de temperatura de unión/almacenamiento: desde alrededor de –55 °C hasta +175 °C
Encapsulado estándar: TO‑220AB, montaje a través de orificio (through‑hole)