Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V
-Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
-Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
-Rds On (Máx.) a Id, Vgs: 56mOhm a 5.6A, 10V
-Vgs(th) (Máx.) a Id: 5V a 100µA
-Carga de puerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 36nC a 10V
-Vgs (máx.): ±20V
-Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1411pF a 25V
-Disipación de energía (máx.): 2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
-Temperatura de funcionamiento: -40°C a 150°C (TJ)
-Tipo de montaje: Montaje superficial

DATASHEET