Tipo: MOSFET de canal P
Voltaje drenaje-fuente (Vds): –100 V
Corriente de drenaje continua (Id): –12 A a 25 °C
Resistencia drenaje-fuente (Rds on): 0,3 Ω máx. Vgs = –10 V
Potencia máxima disipada (Pd): 88 W
Carga de compuerta (Qg): 38 nC típica
Temperatura de operación: –55 °C a +175 °C
Encapsulado: TO-220AB (montaje en agujero pasante)
Tipo de montaje: Disipador recomendado para alta corriente
Polaridad: Canal P
Modo de control: Activación con voltaje negativo en la compuerta