ipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 70 mΩ
Tensión de umbral de puerta máxima 4V
Tensión de umbral de puerta mínima 2V
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
Tipo de Encapsulado TO-220AB
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines 3
Configuración de transistor Simple
Modo de Canal Mejora
Categoría MOSFET de potencia
Disipación de Potencia Máxima 45 W
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
Serie HEXFET
Altura 8.77mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Tiempo de Retardo de Encendido Típico 4,9 ns
Material del transistor Si
Número de Elementos por Chip 1
Tiempo de Retardo de Apagado Típico 19 ns
Carga Típica de Puerta @ Vgs 20 nC a 10 V
Capacitancia de Entrada Típica @Vds 370 pF a 25 V