Descripcion:

El J112 es un transistor FET o de efecto de campo de silicio de canal N de alto rendimiento de la serie J11x. Otros transistores de esta gama son el JS111 y el JS112, que tienen usos similares, pero difieren en especificaciones para adaptarse a requisitos específicos. Sin embargo, las principales aplicaciones para las que están diseñados estos transistores son las de muestreo y retención, choppers, conmutación analógica, comentaristas, limitación de corriente, etc.

También existen algunos beneficios de usar estos transistores en aplicaciones particulares, ya que son adecuados para conmutación de alta velocidad, brindan una mejor respuesta a la frecuencia, tienen buena precisión, brindan baja pérdida de inserción, también tienen características simétricas, lo que significa que la fuente y el drenaje se pueden intercambiar además de estos beneficios, también son de muy bajo costo.


Especificaciones tecnicas:
Tipo de paquete: TO-92, SOT-23
Tipo de transistor: JFET de canal N (simétrico)
Voltaje máximo de drenaje a compuerta: 35 V
Voltaje máximo de puerta inversa a fuente: – 35 V
Corriente máxima de compuerta continua: 50 mA
Voltaje máximo de corte de puerta a fuente: – 5 a – 3 V
Disipación máxima de potencia: 625 mW
La temperatura máxima de almacenamiento y funcionamiento debe ser: -55 a +150 °C
El drenaje y la fuente son intercambiables.