Almacenamiento no volátil de 8 kbits organizado en 8 bloques de 128 bytes cada uno
yo
Lógica de interfaz de bus 2C
Compatible con EEPROM serie 24C08 y fuente alternativa de Atmel AT24RF08C
sin la interfaz RF
Operación de escritura:
Modo de escritura de bytes
Modo de escritura de página de 16 bytes
Operación de lectura:
Lectura secuencial
Lectura aleatoria
Protección de acceso programable para limitar lecturas y escrituras
Función de bloqueo/desbloqueo
Característica de protección contra escritura que protege la matriz de memoria completa contra operaciones de escritura
Ciclo de escritura cronometrado
Restablecimiento de encendido interno
Alta fiabilidad:
Diez años de tiempo de retención de datos no volátiles
100,000 ciclo de escritura de resistencia
Tecnología CMOS de bajo consumo
Rango de tensión de alimentación de funcionamiento de 2,5 V a 3,6 V
0 Hz a 400 kHz frecuencia de reloj
La protección ESD supera los 2000 V HBM por JESD22-A114, 200 V MM por
JESD22-A115 y CDM de 1000 V según JESD22-C101
La prueba de enganche se realiza según el estándar JEDEC JESD78 que supera los 100 mA
Paquetes ofrecidos: SO8

DATASHEET