Fabricado por Advanced Power Electronics Corp., este componente es un MOSFET de potencia de canal N con modo de enriquecimiento. Gracias a una innovadora tecnología de procesamiento de silicio, ofrece una resistencia de encendido (RDS(ON)) ultrabaja y un rendimiento de conmutación rápido. El encapsulado PMPAK 5x6L incorpora un disipador de calor en la parte posterior para un perfil más bajo y una alta eficiencia térmica. Ha superado las pruebas Rg y UIS al 100% para garantizar la fiabilidad del producto.

Función: MOSFET de potencia de canal N de 30 V y 165 A.
Tensión drenador-fuente (VDS): 30 V.
Tensión puerta-fuente (VGS): ±20V.
Corriente de drenaje continua (ID): 165 A (limitada por el silicio, TC=25 °C); 60 A (limitada por el encapsulado).
Resistencia de encendido (RDS(on) Máx): 1,89 mΩ (@VGS=10V); 3 mΩ (@VGS=4,5V).
Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C.
Normas medioambientales: Cumple con la normativa RoHS y está libre de halógenos.