Transistores y amplificadores
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
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Bs1.0
CARACTERISTICAS:
Tipo: pnp
Voltaje del colector-emisor: 50 V
Voltaje de la base del colector: 50 ..
Bs1.0
Bs1.0
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.63 W
Tensión colector-base (Vcb)..
Bs1.0
Bs10.0
ampliamente usados para reparacion de tarjetas de impresoras epson y similares
Marca: ON SEMICONDUCT..
Bs10.0
Bs1.0
Tipo de paquete: SOT-23
Tipo de transistor: PNP
Corriente máxima del colector (I C ): -15..
Bs1.0
Bs8.0
Descripcion:
ChipSourceTek-HAA9809 es un amplificador de potencia de audio ESOP8 de un solo canal de..
Bs8.0
Bs5.0
ecnología Canal P
Forma de montaje Paquete D
Diseño MOSFET
Tipo Transistores unipolares (..
Bs5.0
Bs8.0
Número de Parte: AOD406- D412YXBF3C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES..
Bs8.0
Bs18.0
La placa es de alta potencia MOS interruptor de activación del módulo y la placa de cont..
Bs18.0
Bs6.0
Caracteristicas:
Disipación total del dispositivo (Pd): 53.5 W
Voltaje drenador-surtidor|Vds|: 25V
..
Bs6.0
Bs6.0
Fabricante ADVANCED POWER ELECTRONICS
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
..
Bs6.0
Bs42.0
APT5010LVR es una nueva generación de MOSFET de potencia en modo mejorado de canal N de alto voltaje..
Bs42.0
Bs25.0
Descripcion:
El AT28C64B-15PU es un dispositivo EEPROM paralelo de 64 K (8 K x 8 bits) de alto rend..
Bs25.0
Bs1.0
Características:
Transistor Bipolar (BJT) PNP
Dispositivo diseñado para operar como am..
Bs1.0
Bs4.0
Polaridad de transistor: NPN
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
Tensión col..
Bs4.0
Bs1.0
CARACTERISTICAS:
-Tipo de paquete: TO-92
-Tipo de transistor: NPN
-Corriente máxima del c..
Bs1.0