Caracteristicas:

modelo: FQP7N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 142 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 29 nC
Tiempo de subida (tr): 80 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 135 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1 Ohm
Paquete: TO-220