Descripcion:

El 40N120 es unTransistor bipolar de puerta aislada (IGBT) con una tensión nominal de colector-emisor de 1200 V y una corriente de colector de 40 A a 100 °CEstá diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia.

Especificación
Voltaje colector-emisor (VCE) 1200 En
Corriente de colector continua (IC): 40A (a 100°C)
Corriente de colector pulsada (ICM) 160A
Voltaje de puerta-emisor (VGES): ±20V
Disipación máxima de potencia (Ptot) 480w (a 25°C)
Voltaje de saturación colector-emisor (VCESat): 1,7 a 2,6V
Temperatura de la unión de funcionamiento -40 a +175 °C
Tipo de paquete TO-264 -