Descripcion:
Número de Parte: FGA25N120
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N

Caracteristicas:
-Máxima potencia disipada: 312 W
-Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
-Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
-Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
-Temperatura máxima de unión: 150 ℃
-Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
-Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
-Tiempo de subida, typ: 60 nS
- Capacitancia de salida, typ: 130 pF
-Carga total de la puerta, typ: 200 nC
-Encapsulados: TO3P