Caracteristicas:

Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fuente, máximo: ± 20 V
Resistencia máxima de drenaje-fuente en estado activo: 7,8 mΩ
Consumo de corriente continua: 130 A
Carga total de la puerta: 160 nC
Disipación de potencia: 330 W
Rango de temperatura de la unión de funcionamiento: -55 a +175 °C
Encapsulación: TO-220AB


El transistor IRF1407 se puede reemplazar por los siguientes transistores:
IRF1607 , IRF2907Z , IRF2907ZPbF , IRF3808 , IRFB4110 , IRFB3077 , IRFB3077GPbF , IRFP3077PbF , IRFB4310 , IRFB3207 , IRFB4110G .