Características:

Transistor Bipolar (BJT) NPN

Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio hFE con buena linealidad

IC: 500 mA

PD: 625 mW

VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V

hFE: 144 a 202 (Ranking H)

FT: 150 MHz mínimo

VCE(sat): 0.6 V max.

Potencia de salida de 1 W en amplificadores con configuración clase B Push-pull