Características:

Transistor Bipolar (BJT) PNP

Dispositivo diseñado para operar como amplificador y driver de audio o en aplicaciones de suicheo

IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 45 V, VCES: 50V, VEBO: 5 V

FT: 100 MHz típico

VCE(sat): 0.7 V

Encapsulado: TO-92