Número de Parte: AOD406- D412YXBF3C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 12 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 72.4 nC

Tiempo de elevación (tr): 14.2 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 625 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.005 Ohm

empaquetado / Estuche: TO252